Імпульсні джерела живлення накопичують енергію з вихідних конденсаторів
На діаграмі залежності заряду напруги конденсатор представлений діагональною лінією, а енергія, що зберігається в конденсаторі, є площею, що міститься під цією лінією. Незважаючи на те, що вихідна ємність силових МОП-транзисторів є нелінійною та змінюється відповідно до змін напруги джерела стоку, запас енергії у вихідній ємності все ще є областю, яка міститься в автономному режимі нелінійною ємністю. Отже, якщо ми можемо знайти пряму лінію, яка дає таку саму площу, як і крива вихідної ємності, показана на малюнку 1, тоді нахил лінії точно дорівнює еквівалентній вихідній ємності, яка виробляє таке ж накопичення енергії.
Для деяких МОП-транзисторів зі старомодною планарною технологією розробники можуть використовувати підгонку кривої, щоб знайти еквівалентну вихідну ємність на основі значень вихідної ємності в таблиці даних за типово зазначеної вихідної напруги 25 В.
На рисунку 2 показані виміряні значення вихідної ємності та підігнана крива, отримана за формулою (3). Порівняно зі старомодною-технологією MOSFET, показаною на малюнку 2 (a), її продуктивність хороша. Однак для МОП-транзисторів з більш нелінійними характеристиками вихідної ємності, які використовують нові технології, такі як технологія суперпереходу, простого підгонки експоненціальної кривої іноді недостатньо. На малюнку 2 (b) показано виміряну вихідну ємність MOSFET за новою технологією та підігнану криву, отриману за формулою (3). Для еквівалентного значення вихідної ємності розрив між ними в області високої напруги може спричинити величезну різницю, оскільки у формулі інтегрування напруга множиться на ємність. Оцінка на малюнку 2 (b) призведе до набагато більшої еквівалентної ємності, що може ввести в оману початкову конструкцію перетворювача.
Якщо значення вихідної ємності змінюється відповідно до напруги джерела стоку, запас енергії у вихідній ємності можна розрахувати за формулою (4). Незважаючи на те, що крива ємності відображається в таблиці даних, прочитати значення ємності з діаграми нелегко. Таким чином, виходячи з напруги джерела стоку, накопичення енергії у вихідному конденсаторі вказано у діаграмі в * новій таблиці даних потужності MOSFET. За допомогою кривої, показаної на малюнку 3, і формули (5) можна отримати еквівалентну вихідну ємність при бажаній напрузі шини постійного струму (DC).
