Мультиметр - вибір напівпровідникових транзисторів
Вибір транзисторів повинен відповідати, по-перше, вимогам обладнання та схем, по-друге, відповідати принципу економії. Залежно від застосування загалом слід враховувати такі фактори: робоча частота, колекторний струм, розсіювана потужність, коефіцієнт підсилення струму, зворотна напруга пробою, стабільність і падіння напруги насичення тощо. Ці фактори мають взаємне обмеження. Під час виборів і управління ми маємо осягнути головні протиріччя і врахувати другорядні фактори.
Характерна частота fT низькочастотних ламп зазвичай нижче 2,5 МГц, тоді як fT високочастотних ламп коливається від десятків МГц до сотень МГц або навіть вище. При виборі керування fT має перевищувати робочу частоту в 3-10 разів. В принципі, лампи високої частоти можуть замінити лампи низької частоти, але потужність ламп високої частоти, як правило, відносно мала, а динамічний діапазон вузький. При заміні зверніть увагу на умови живлення.
Загалом ми сподіваємося, що має бути більше, але більше не завжди означає краще. Якщо значення занадто високе, це легко спричинить самозбуджені коливання, не кажучи вже про те, що зазвичай трубки з високим рівнем є нестабільними і на них сильно впливає температура. Зазвичай значення становить від 40 до 100, але для ламп із низьким рівнем шуму та високим значенням (наприклад, 1815, 9011~9015 тощо) температурна стабільність все ще є хорошою, коли значення досягає сотень. Крім того, для всієї схеми слід вибирати координацію всіх рівнів. Наприклад, якщо на передньому каскаді використовується трубка з високим бета-випромінюванням, то на задньому каскаді може використовуватися трубка з низьким бета-випромінюванням; і навпаки, якщо передній ступінь використовує трубку з низьким бета-випромінюванням, то задній ступінь може використовувати трубку з високим бета-випромінюванням.
Напруга зворотного пробою колектор-емітер UCEO повинна бути більшою за напругу живлення. Чим менший струм проникнення, тим краща стійкість до температури. Стабільність звичайних кремнієвих трубок набагато краща, ніж у германієвих трубок, але падіння напруги насичення звичайних кремнієвих трубок більше, ніж у германієвих трубок, що вплине на продуктивність схеми в деяких схемах. Його слід підбирати відповідно до конкретних умов схеми і споживання транзистора. При розсіюванні потужності слід залишити певний запас відповідно до вимог різних схем.
Для транзисторів, які використовуються в таких схемах, як підсилення високої частоти, підсилення проміжної частоти та генератори, слід вибирати транзистори з високою характеристичною частотою fT і малою міжелектродною ємністю, щоб забезпечити високий коефіцієнт посилення потужності та стабільність на високих частотах.
