Застосування інфрачервоних мікроскопів у мікропристроях в електронній промисловості
З розвитком нанотехнологій у напівпровідникових технологіях все частіше застосовується підхід мініатюризації зверху вниз. Ми звикли називати технологію ІС «мікроелектронікою», оскільки розмір транзисторів знаходиться в діапазоні мікрометрів (10-6 метрів). Але напівпровідникова технологія розвивається дуже швидко, прогресуючи на покоління кожні два роки, і розмір зменшиться до половини початкового розміру, що є знаменитим законом Мура. Близько 15 років тому напівпровідники почали входити в субмікронну еру, яка менша за мікрометри, за якою послідувала більш глибока субмікронна ера, набагато менша за мікрометри. До 2001 року розмір транзисторів навіть зменшився до менше ніж 0,1 мікрометра, що становить менше 100 нанометрів. Тому в епоху наноелектроніки більшість майбутніх ІС виготовлятимуться за допомогою нанотехнологій.
Технічні вимоги:
В даний час основною формою несправності електронних пристроїв є термічна несправність. Згідно зі статистичними даними, 55% несправностей електронних пристроїв викликані температурою, що перевищує вказане значення, і частота відмов електронних пристроїв експоненціально зростає з підвищенням температури. Загалом, робоча надійність електронних компонентів дуже чутлива до температури, зі зниженням надійності на 5% на кожен 1 градус підвищення температури пристрою між 70-80 градусами Цельсія. Тому необхідно швидко і надійно визначити температуру пристрою. Через дедалі менший розмір напівпровідникових пристроїв висуваються вищі вимоги до роздільної здатності за температурою та просторової роздільної здатності обладнання для виявлення.
