Будова та склад інфрачервоного фотоелектричного далекоміра
Інфрачервоний далекомір в основному складається з блоку модульованого випромінювання світла, блоку прийому, блоку вимірювання фази, блоку підрахунку та відображення, блоку логічного керування та перетворювача потужності. Джерелом світла зазвичай є напівпровідниковий світлодіод з арсеніду галію (GaAs). Коли значний струм проходить через PN-перехід GaAs-діода, PN-перехід випромінює ближнє інфрачервоне світло з довжиною хвилі 0,72 мкм і 0,94 мкм, що пов’язано з електронно-діркова рекомбінація в легованому напівпровіднику GaAs. , надлишок енергії виділяється у вигляді фотонів. Крім того, інтенсивність випромінюваного світла буде змінюватися залежно від струму інжекції. Тому, якщо він використовується як джерело світла далекоміра, амплітудна модуляція інтенсивності випромінюваного світла може бути безпосередньо виконана шляхом зміни величини струму живлення, тобто цей напівпровідниковий світловипромінювальний пристрій виконує подвійні функції " випромінювання» і «модуляція».
Пристроєм перетворення інфрачервоного фотодетектора, який використовується для отримання модульованого світла, зазвичай є кремнієвий фотодіод або лавинний фотодіод, і ці пристрої мають «ефект фотоелектричної напруги». Коли зовнішнє світло опромінюється на його PN-перехід, завдяки ефекту перетворення фотоелектричної енергії на двох полюсах PN може утворюватися різниця потенціалів, і її величина змінюватиметься залежно від інтенсивності падаючого світла, таким чином відіграючи роль " демодуляція».
