Короткий опис макета для імпульсних джерел живлення DCDC
1, мати справу з контуром зворотного зв’язку (відповідає наведеному вище малюнку в R1-R2-R3-IC_FB & GND), лінія зворотного зв’язку не йде під Шотткі, не заходьте під індуктивність (L1), не заходьте під великі конденсатори, не оточуйте велику петлю струму, якщо необхідно, у резисторі вибірки та конденсаторі 100 пФ для підвищення стабільності (але перехідні процеси будуть зазнавати найменшого впливу);.
2, лінія зворотного зв’язку буде скоріше тонкою, ніж товстою, оскільки чим ширша лінія, тим очевидніший ефект антени, що впливає на стабільність петлі. Зазвичай використовують 6-12міл рядків.
3, всі конденсатори якомога ближче до IC.
4, індуктивність відповідно до специфікацій показників 120-130% вибору ємності, не надто велика, занадто велика вплине на ефективність і перехідний процес; 5, ємність відповідно до специфікацій 120-130% вибору ємності.
5, конденсатори відповідно до специфікацій вибору 150% ємності. Якщо чіп керамічних конденсаторів, якщо ви використовуєте 22uF, з двома 10uF паралельним з'єднанням буде краще. Якщо вартість неважлива, конденсатор може бути більшим. Спеціальна примітка: вихідна ємність, якщо використовується алюмінієвий електролітичний конденсатор, завжди пам’ятайте про використання високочастотних низьких опорів, а не просто встановлюйте конденсатори низькочастотного фільтра!
6, щоб, наскільки це можливо, зменшити площу, що оточує петлю сильного струму. Якщо не зручно звужувати, міддю проведіть у вузьку щілину.
7, не використовуйте прокладки термічного опору на критичних петлях, вони створять надлишкові індуктивні властивості.
8. Використовуючи шари заземлення, докладіть усіх зусиль, щоб зберегти цілісність шару заземлення під контуром вхідної комутації. Будь-яке зрізання шару заземлення в цій області призведе до зниження ефективності шару заземлення та збільшення опору сигналу через отвори навіть через шар заземлення.
9. Перехідні отвори можна використовувати для підключення конденсатора розв’язки та заземлення мікросхеми до шару заземлення, що мінімізує петлю. Однак слід мати на увазі, що індуктивність отворів коливається від 0,1 до 0,5nH, залежно від товщини та довжини отворів, і вони збільшують загальну індуктивність контуру . Для з’єднань з низьким опором бажано використовувати декілька отворів.
У наведеному вище прикладі додаткові переходи до рівня заземлення не допомагають зменшити довжину петлі C IN. Однак в іншому прикладі, оскільки верхній шар має довгий шлях, дуже ефективно зменшити площу петлі через отвори.
Слід зазначити, що використання заземлюючого шару як зворотного шляху струму вносить велику кількість шуму в заземлюючий шар, тому локальний заземлюючий шар можна ізольувати та з’єднати з основним заземленням через точку з дуже низьким рівнем шуму.
